高壓可控硅的主要參數

可控硅的主要參數
高壓可控硅的主要參數有：
1、額定通態均勻電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩真個正向峰值電壓。高壓可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在高壓可控硅兩真個反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的*小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必須的*小陽極正向電流。
近年來，很多新型高壓可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

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